產品與服務
SiC

碳化硅肖特基二極管(SiC Schottky Barrier Diode,SiC SBD)

 

型 號 IF(AV) VRRM VRSM VDC QC IFSM IFRM Ptot TJ VF IR C 封裝形式
@TJ
=25℃
@TJ=25℃ @TJ=25℃ @TJ=25℃,f=1MHz
Pulse:tp
=10µs
@IF(AV) @VRRM @VR
=0V
@VR
=400V
@VR
=800V
@VR
=1000V
A V V V nC A A W V μA PF PF PF PF
tPower-
SS01•
JB0BA6E
20 650 650 650 82.5 -55~+175 2.3 26.3 1900.0 120.0 88.6 TO-247-2L
tPower-
SS01•
JB0XX6E
20 650 650 650 -55~+175 1.7 26.3
tPower-
SS01•
JC0BA12
30 1200 1200 1200 180.0 -55~+175 1.37 25 TO-247-2L
tPower-
SS01•
JB5BA17
25 1700 1700 1700 203 -55~+175 1.39 76.1 3190.0 151.0 139.0 TO-247-2L
tPower-
SS01•
JB5XX17
25 1700 1700 1700 -55~+175 1.43 76.1
30元刮刮乐在线试刮 北京快乐8提早开奖 竞彩篮球大小分对冲 辽宁35选7开奖视频 澳洲幸运10第五球 七星彩今晚预测 今天浙江20选5开奖结果 山西11选5一定牛 云南快乐十分开奖号 老快3遗漏360官网 买极速赛车彩票经验 十一运夺金前二杀号 重庆时时彩下注平台 舟山飞鱼今日走势图 八戒中特网一肖中特免费期期公开 09电竞平台im最新改动 河内5分彩计划软件app下载